全国政协委员、河北工业大学微电子技术与材料研究所所长刘玉岭3月2日透露，由他主持的国家重大科技专项“极大规模集成电路平坦化材料与工艺技术”项目已进入65纳米特征尺寸研发阶段，多层布线平坦化材料正式开始量产，预计年产能将达到6000吨。

　　近年来，半导体器件高度集成化及高速化，设计尺寸逐渐缩小、配线多层化已成为必然趋向，多层布线关键课题平坦化技术格外受到注目。虽然目前有多种平坦化技术，但化学机械抛光技术（CMP）已被证明是目前最佳也是唯一能够实现全局平坦化的技术。

　　该项目启动之时，团队就确定了不同于国外的技术路线、研究方法和材料材质。“国外主要采用以机械为主的酸性CMP技术路线，随着微电子技术的进一步发展，酸性CMP技术显现出多项亟待解决的技术难题，比如高粗糙度、难清洗、铜离子沾污、多种材料速率差引起的碟形坑深等问题。”刘玉岭介绍说，“针对这一现况，我们采用了具有自主知识产权的碱性化学机械抛光技术，实现多层布线CMP中要求愈来愈高的干进干出的表面高洁净化，达到低排放、节能、节水等环保要求。”

　　据悉，“极大规模集成电路平坦化工艺与材料”项目2009年正式启动，已获国家3265.8万元经费资助。该项目以实现极大规模集成电路多层布线表面的高平整度、低粗糙度、低缺陷密度和高洁净度为目标，以130—65纳米及其以下的超大规模集成电路CMP材料与工艺为主攻方向，开展具有自主知识产权的多种CMP抛光材料与CMP后清洗剂以及相关工艺技术的研发。该项目将于2015年完成，届时将打破我国高端集成电路制造装备与工艺完全依赖进口的状况，同时促进和带动我国多种高新技术相关材料超精密加工产业发展。